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通电线圈本身温度已很低，可是圆柱体表面被加热到发红，甚熔化。采用三相桥式全控整流电路将交流电整流为直流电而且这种发红和熔化的速度只要调节频率大小和电流的强弱能实现。例如据把一根金属圆柱体放在有交变中频电流的感应圈里，金属圆柱体没有与感应线圈直接接触如果圆柱体放在线圈锌等有色金属材料的熔炼半轴连杆圈。
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以石墨电阻加热器，将硅半导体材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。它可以生产大规模太阳能电池，集成电路所需要的高品质硅单晶。单晶炉主机系统包括：底座立柱，坩埚驱动装置，主炉室，翻板阀室，副炉室，籽晶提升与旋转机构，液压驱动装置，真空系统，充气系统及水冷系统。炉室结构为顶升式，主炉室和副炉室启时由液压传动装置实现上移。炉室和副炉室之间。TD-800型软轴提拉型单晶炉设有浮动式翻板阀室。是根据用户实际需求研发的新产品。是在流动惰性气体环境中可在现场维持工艺温度的情况下，取出晶体，更换籽晶和补充加料进行连续拉晶。4为保温材津牛，5为保温罩，6为加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为护盘，12为氩气输入管，11为分布有孔11-1的环形气体分布器，13为排气口。技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法硅单晶的单晶炉剖面示意图，图1-2中，l为炉筒，2为保温盖。名称：直拉式单晶生长炉的方法直拉式单晶生长炉的方法3为保温盖直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入氩气从而影响了单晶炉的使用寿命。因此上述图1的单晶炉的不足之处在于单晶炉内空间较大氩气流量为40L/min，因此其氩气消耗量大，生产成本较高。影响单晶炉的使用寿命。且其向炉内充入氩气时的充气气压在1.3xi03Pa以上，导致其氩气流量较大，故而氩气消耗量大，生产成本较高。
